Samsung lên kế hoạch sản xuất "mini chip" 3nm vào năm 2022

09:43 | 02/06/2018
Samsung (Hãng công nghệ khổng lồ Hàn Quốc) đang thể hiện sự dẫn đầu ngành chip bằng kế hoạch thu nhỏ bóng bán dẫn, dự kiến sẽ cho ra chip 3nm trong vài năm tới.
tin nhap 20180528135633 Lộ điểm hiệu năng Galaxy Note 9 chạy vi xử lý Exynos 9810
tin nhap 20180528135633 Bản concept Nokia 10: Cấu hình cực khủng, màn Super AMOLED độ phân giải 4K
tin nhap 20180528135633 iPhone 2018 sẽ là smartphone đầu tiên tích hợp vi xử lý 7nm
tin nhap 20180528135633

Theo trang tin Techspot, Samsung vừa trình làng kế hoạch tiến tới quy trình sản xuất dòng chip siêu nhỏ 3nm, giải được bài toán thu nhỏ bóng bán dẫn,

Lộ trình thu nhỏ kích thước chip bán dẫn xuống 3nm là lời khẳng định sức mạnh công nghệ và vị thế nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới hiện tại của Samsung. Và việc thu nhỏ kích thước chip vừa được hãng giới thiệu tại sự kiện Samsung Foundry Forum 2018 mới đây.

Ngoài việc thu nhỏ kích thước (sẽ giúp các thiết bị điện, điện tử nhỏ gọn và mỏng, nhẹ hơn), công nghệ quy trình sản xuất chip mới của Samsung còn nhắm tới hiệu năng cao cho các thiết bị cũng như có khả năng kết nối mạnh mẽ hơn.

Hiện quy trình công nghệ sản xuất chip kế tiếp được Samsung hướng đến đang dừng ở mức 7nm với những con chip Low Power Plus (giải pháp 7LPP) được sản xuất ra dựa trên kỹ thuật in EUV. Giải pháp 7LPP của Samsung sẽ được bắt đầu đi vào sản xuất nửa cuối năm nay và năng suất hứa hẹn sẽ được nâng lên vào nửa đầu năm 2019.

Tiếp theo, các bóng bán dẫn của Samsung sẽ được thu nhỏ ở mức 5nm Low Power Early. Ngay sau đó sẽ là tiến trình 4nm Low Power Early và Low Power Plus. Ở 4nm, đây sẽ là quy trình cuối cùng sử dụng công nghệ FinFET. Có thể giữa 4nm và 5nm chỉ là "một sự cải tiến nhỏ" về mặt chuyển đổi, tuy nhiên nó vẫn đem lại mức cải thiện hiệu năng đáng kể.

Đỉnh cao nhất trong kế hoạch công bố lần này của Samsung chính là quy trình sản xuất bóng bán dẫn ở mức 3nm Gate All Around Early/Plus. Và việc sử dụng bóng bán dẫn thế hệ mới 3nm sẽ giúp hãng giải quyết được vấn đề "thu nhỏ chúng" hơn nữa, mà công nghệ FinFET không thể đạt được. Hãng gọi đây là công nghệ MBCFET hay Multi Bridge Channel FET.

Với vi xử lý 3 nm, Samsung sẽ sử dụng kiến ​​trúc GAA (Gate-All-Around) MBCFET (multi-bridge-channel FET). Dự kiến vi xử lý này sẽ bắt đầu sản xuất từ năm 2022. Tất nhiên kích thước của chip mới cũng nhỏ hơn, mạnh mẽ hơn và tiết kiệm điện năng hơn.

Quốc Nam

© 2021 Ghi rõ nguồn "laodongthudo.vn" khi phát hành lại thông tin từ website này